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Chip-Lithografie: High-NA EUV erstmals im Produktiveinsatz

Дата публикации: 15-07-2026 16:05:00

Jetzt doch früher als gedacht: Intel betreibt erstmals produktiv ein Lithografie-System der nächsten Generation.

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ASML und Intel melden einen Meilenstein bei der Einführung neuer Lithografie-Systeme mit extrem-ultravioletter Belichtungstechnik bei hoher numerischer Apertur (High-NA EUV). Dabei kommen größere Optiken zum Einsatz, um mehr Licht einzufangen und so die Auflösung für die Chipstrukturen von 13,5 auf 9 Nanometer zu verbessern.

Diese Werte sind nicht mit den Namen moderner Fertigungsprozesse zu verwechseln: 2 Nanometer & Co. sind Marketing-Bezeichnungen. Die tatsächlichen Strukturbreiten sind deutlich gröber.

Panther Lake mit neuem Lithografie-System

Intels Chipfertigungstochter Intel Foundry verwendet jetzt erstmals ein High-NA-EUV-System im Produktiveinsatz: Der Hersteller nutzt ein Twinscan Exe:5200B, um damit bestimmte Lagen bei einem Teil der Core-Ultra-300-Prozessoren (Panther Lake) zu belichten. Dazu hat Intel den eigenen modernsten Fertigungsprozess 18A mit High-NA EUV neu qualifiziert. Bei welchen Modellen genau die neue Technik zum Einsatz kommt, verraten die beiden Partner nicht.

Das Lithografie-System befindet sich in Intels US-Halbleiterwerk in Hillsboro, Oregon. Dabei handelt es sich vornehmlich um einen Forschungsstandort, der nur einen kleinen Teil der Gesamtproduktion übernimmt.

Präsentationsfolie zu High-NA EUV bei Intel

Intel Foundry freut sich über den ersten Einsatz von High-NA EUV.

(Bild: ASML)

ASML macht in der eigenen Mitteilung daher klar, dass die „Dual-Qualifizierung“ der Forschung dient. Der Einsatz „liefert ASML und Intel Foundry wertvolle Daten, um die Systemkonfiguration, die Betriebszeit und die Umsetzung in der Fertigung weiter zu optimieren“, heißt es. „Dies ebnet den Weg für eine breitere Einführung, bei der das volle Potenzial der Technologie ausgeschöpft wird.“

Die meisten Compute-Dies für Panther Lake produziert Intel weiterhin mit bisherigen EUV-Systemen (Low-NA EUV). Die feinsten Strukturen benötigen so mehrere Belichtungsdurchgänge, während mit High-NA EUV nur noch einer notwendig ist. Mit der kommenden Fertigungsgeneration 14A will Intel stärker auf High-NA EUV umschwenken. Ab 2027 soll 14A startklar sein.

TSMC bewusst langsamer

Intel bereitet den Wechsel damit schneller vor als der Weltmarktführer TSMC. Letzterer zögert aus Kostengründen den Wechsel hinaus. Zum einen kosten High-NA-EUV-Systeme mit rund 350 Millionen Euro pro Stück doppelt so viel wie bisherige Low-NA-Typen. Zum anderen ist der Betrieb teurer.

TSMCs Senior Vice President Kevin Zhang zeigt sich in Gesprächen immer wieder überrascht, was seine Teams mit Mehrfachbelichtungen aus Low-NA EUV noch herausholen können. Aktuell plant TSMC bis zum Fertigungsprozess A12 im Jahr 2029 ohne High-NA EUV.

(mma)

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Классификация: Пресс-релизы. Схожих патентов: 0. Схожих новостей: 10. Тональность: 0. Информативность: 5. Источник: www.heise.de.