Обычная флешка боится не только стирки в кармане, но и космоса: в условиях интенсивного ионизирующего излучения память теряет данные. Российские учёные предложили технологию, которая может это изменить. Как сообщают «Известия», специалисты Института физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН разработали подход к созданию чипов долговременной флеш-памяти, устойчивых к космической радиации, — в его основе лежат специальные плёнки с дефектами-«ловушками», которые удерживают электроны, а накопленный заряд и хранит информацию. Речь идёт не о готовом изделии, а о технологическом подходе, который институт предлагает для будущих чипов.