Вход на сайт

Просмотр новости

Найдите то, что Вас интересует

Ученые Института физики полупроводников усовершенствовали пленки хай-кей диэлектрика на основе диоксида гафния

Дата публикации: 23-09-2026 12:38:13

High—k означает высокую диэлектрическую проницаемость. То есть при приложении электрического поля такой диэлектрик сильнее поляризуется и почти не уменьшает электрический потенциал. Это позволяет увеличить толщину подзатворного диэлектрика, снизить утечки и открывать токовый канал в полевом транзисторе при более низких напряжениях. И, в итоге, создавать полупроводниковые устройства с более низким напряжением питания и электропотреблением. Кроме того,...
Сообщение Ученые Института физики полупроводников усовершенствовали пленки хай-кей диэлектрика на основе диоксида гафния появились сначала на Время электроники.

Схожие новости

#Наименование новостиТональностьИнформативностьДата публикации
1Пленочные электроды: разработана технология создания электродов с использованием берлинской лазури06.0511-09-2026
2Вышел журнал «СВЧ электроника» №3/2026013.4509-09-2026
3Российская компания начала активные поставки китайского технологического оборудования на российский рынок07.6230-09-2026
4Discovery confirms rare, switchable electrical property in widely used electronics material011.7625-09-2026
5«Швабе» и МФТИ создадут технологии для нового поколения энергоэффективной микроэлектроники010.4129-09-2026
6«Швабе» и МФТИ создадут технологии для нового поколения энергоэффективной микроэлектроники010.4129-09-2026
7A new type of LED light could bring significant efficiency gains06.4804-09-2026
8IoT под рентгеном. Как на самом деле выглядят живые проекты сквозь призму суровой реальности, экстремальных условий и инженерных факапов04.4225-09-2026
9Освещение открытых спортивных объектов в городской среде08.622-09-2026
10Graphene measurements reveal energy-loss and quantum-coherence exponents diverge under gate control012.3823-09-2026

Классификация: Наука. Схожих патентов: 0. Схожих новостей: 10. Тональность: 0. Информативность: 10.11. Источник: russianelectronics.ru.