Исследователи Киотского университета (Kyoto University) создали полевой транзистор на основе карбида кремния (SiC), способный работать при температуре 600 °C (873 K). Главной особенностью разработки стало обещание массового производства на современных фабриках. Высокотемпературные транзисторы для космоса и двигателей —; это не новость, но до сих пор они требовали уникальных техпроцессов, что сильно ограничивало их применение.
| # | Наименование новости | Тональность | Информативность | Дата публикации |
|---|---|---|---|---|
| 1 | Японцы создали транзистор для Венеры — он прост в производстве и работает при 600 °C | 0 | 9.84 | 25-08-2026 |
| 2 | Японцы создали транзистор для Венеры — он прост в производстве и работает при 600 °C | 0 | 9.84 | 25-08-2026 |
| 3 | Японцы создали транзистор для Венеры — он прост в производстве ... | 0 | 9.13 | 25-08-2026 |
| 4 | Японцы создали транзистор для Венеры — он прост в производстве и работает при 600 °C | 0 | 10.72 | 25-08-2026 |
| 5 | Японцы создали транзистор для Венеры — он прост в производстве ... | 0 | 9.13 | 25-08-2026 |
| 6 | A silicon carbide transistor that operates at 600°C | 0 | 6.62 | 24-08-2026 |
| 7 | Найден способ превращать отработавшие солнечные батареи в материалы для космоса | 0 | 0 | 10-04-2025 |
| 8 | Радиационно‑стойкие N‑ и P‑канальные MOSFET с напряжением пробоя до 500 В | 0 | 8.87 | 23-07-2026 |
| 9 | В Китае изобрели новый сплав, выдерживающий экстремальные температуры до 2400 °C | 0 | 13.96 | 27-07-2026 |
| 10 | Созданы наноструктурированные магниты, работающие при температуре до 550 градусов | 0 | 0 | 10-06-2025 |