Вход на сайт

Просмотр новости

Найдите то, что Вас интересует

Силовые кремниевые и широкозонные полупроводники — десятилетие упущенных возможностей или ожидание эволюционного скачка

Дата публикации: 19-06-2026 15:49:14

Сообщение Силовые кремниевые и широкозонные полупроводники — десятилетие упущенных возможностей или ожидание эволюционного скачка появились сначала на Время электроники.


Основное содержимое страницы с новостью.

Силовые кремниевые и широкозонные полупроводники — десятилетие упущенных возможностей или ожидание эволюционного скачка

Доклад Дмитрия Боднаря, к.т.н., генерального директора АО «Синтез Микроэлектроника», на конференции "Силовая электроника -2026"

Навигация по записям

Схожие новости

#Наименование новостиТональностьИнформативностьДата публикации
1Силовая электроника. Карбид кремния (SiC) от шихты до мощных силовых преобразователей06.6708-07-2026
2Прогноз развития рынка силовой электроники 2026–2036 гг.010.3925-07-2026
3Подходы к обеспечению конкурентноспособности отечественной силовой полупроводниковой электроники07.9726-06-2026
4Повышение плотности чипов выходит за рамки традиционного масштабирования транзисторов010.3309-07-2026
5Состояние и перспективы развития приборов силовой электроники. Модули силовой электроники05.8503-08-2026
6Ведущие производители силовых полупроводников повысили цены на ЭКБ08.1530-06-2026
7Эволюция технологий и материалов силовой полупроводниковой микроэлектроники. Часть 1. Технологии производства пластин и кристаллов110.7508-08-2026
8Открытие учёных МФТИ повысит эффективность работы нанотранзисторов07.5924-02-2026
9Вышел журнал «Электронные компоненты» №7’2026013.3709-07-2026
10Двухуровневая модель подтверждения «российскости» — основа самонастраиваемой локализации011.8908-06-2026

Классификация: Наука. Схожих патентов: 0. Схожих новостей: 10. Тональность: 0. Информативность: 8.48. Источник: russianelectronics.ru.