Вход на сайт

Просмотр новости

Найдите то, что Вас интересует

Введена в эксплуатацию первая в мире линия массового производства 6-/8-дюймовых гомоэпитаксиальных пластин из оксида галлия

Дата публикации: 02-07-2026 16:24:37

Мировая индустрия производства оксида галлия долгое время страдала от таких проблем, как малый размер пластин, ограниченные производственные мощности и низкая однородность. Большинство доступных на рынке продуктов изготавливались на пластинах размером от 2 до 4 дюймов, что затрудняло крупномасштабное производство современных силовых устройств. Компания Garen утверждает, что, наладив полный цикл массового производства, она преодолела ключевые барьеры...
Сообщение Введена в эксплуатацию первая в мире линия массового производства 6-/8-дюймовых гомоэпитаксиальных пластин из оксида галлия появились сначала на Время электроники.


Основное содержимое страницы с новостью.

24 июня 2026 года компания Hangzhou Garen Semiconductor объявила о важном достижении в области коммерциализации: компания успешно запустила первую в мире линию массового производства, совместимую с 6-дюймовыми и 8-дюймовыми гомоэпитаксиальными пластинами из оксида галлия. Компания уже поставила 6-дюймовые (100)-ориентированные гомоэпитаксиальные пластины из оксида галлия ведущим производителям микросхем, что свидетельствует о начале стабильного серийного производства и поставок.

Мировая индустрия производства оксида галлия долгое время страдала от таких проблем, как малый размер пластин, ограниченные производственные мощности и низкая однородность. Большинство доступных на рынке продуктов изготавливались на пластинах размером от 2 до 4 дюймов, что затрудняло крупномасштабное производство современных силовых устройств.

Компания Garen утверждает, что, наладив полный цикл массового производства, она преодолела ключевые барьеры на пути к коммерциализации и стала первым в мире — и на данный момент единственным — поставщиком, способным поставлять на рынок 6-дюймовые гомоэпитаксиальные пластины из оксида галлия.

Производственная линия сочетает в себе запатентованную компанией Garen технологию выращивания монокристаллов методом литья с оптимизированным процессом эпитаксии MOCVD. Собственный метод выращивания кристаллов позволяет получать сверхтолстые кристаллы оксида галлия, а технология производства ультратонких подложек увеличивает их выход в три-четыре раза по сравнению с традиционными подходами.

Эта технология также значительно сокращает потребление иридия, снижая стоимость подложки более чем на 80 % за пластину и помогая сократить расходы на материалы для последующих производителей устройств.

Данные о качестве продукции, опубликованные компанией, показывают, что ее 6-дюймовые гомоэпитаксиальные пластины из оксида галлия имеют эпитаксиальные слои толщиной более 10 мкм с отклонением толщины менее 1 %. Ожидается, что высокий уровень однородности позволит повысить выход высокопроизводительных устройств, предназначенных для высоковольтных, высокочастотных и высокотемпературных систем.

Что касается производства, компания Garen создала полностью интегрированную производственную цепочку, включающую выращивание монокристаллов, обработку подложек и гомоэпитаксию. Сообщается, что на 6-/8-дюймовой совместимой производственной линии удалось добиться стабильного и контролируемого качества партий. Помимо долгосрочных соглашений о поставках с крупнейшими отечественными производителями микросхем, компания заявила, что несколько зарубежных предприятий и исследовательских институтов также разместили у нее заказы, что ускорило коммерческое внедрение.

Оксид галлия, полупроводниковый материал со сверхширокой запрещенной зоной, обладает высокой пробивной напряженностью, низкими потерями на проводимость и высокими эксплуатационными характеристиками при высоких температурах. Он считается перспективным материалом для применения в высоковольтных электросетях, электромобилях, фотоэлектрических системах накопления энергии и современных системах радиочастотной связи.

Ожидается, что переход на пластины большего размера значительно повысит эффективность производства: с 8-дюймовой пластины можно снять примерно в четыре раза больше чипов, чем с 4-дюймовой, что повысит рентабельность крупномасштабного производства.

Схожие новости

#Наименование новостиТональностьИнформативностьДата публикации
1Прогноз развития рынка силовой электроники 2026–2036 гг.010.3925-07-2026
2Intel совершила прорыв в микроэлектронике нитрида галлия07.7315-04-2026
3Разработана технология массового производства антенн 6G на полупроводниковых пластинах06.2912-08-2026
4Состояние и перспективы развития приборов силовой электроники. Модули силовой электроники05.8503-08-2026
5Силовая электроника. Карбид кремния (SiC) от шихты до мощных силовых преобразователей06.6708-07-2026
6России прошел запуск завода по выпуску материалов для печатных плат2727-11-2025
7Эволюция технологий и материалов силовой полупроводниковой микроэлектроники. Часть 1. Технологии производства пластин и кристаллов110.7508-08-2026
8Ростех начал промышленное производство германиевых пластин для солнечных батарей0003-10-2025
9В России налажено гигантское производство плат для российских ТВ-приставок. Выпущены тысячи единиц5718-06-2026
10В Челябинской области произвели первую в России электролитическую медную фольгу0023-11-2020

Классификация: Наука. Схожих патентов: 0. Схожих новостей: 10. Тональность: 0. Информативность: 7.14. Источник: russianelectronics.ru.