Intel изучает новые архитектуры памяти, которые могут вернуть компанию на этот рынок. Генеральный директор Лип-Бу Тан теперь считает это направление стратегически перспективным и говорит о более тесной интеграции памяти с процессорами. Однако Intel пока не подтвердила, что намерена вновь выпускать массовую DRAM или NAND.

Ранее Тан избегал инвестиций в память, поскольку считал её стандартизированным массовым продуктом с невысокой рентабельностью. Теперь его позиция изменилась: развитие систем искусственного интеллекта резко повысило спрос на ёмкость, пропускную способность и энергоэффективность памяти, а новые технологии открыли возможности для инноваций.

Конкретных планов Тан не раскрыл. В подкасте TechSurge он лишь назвал новые архитектуры памяти одним из своих приоритетных проектов. При этом глава Intel не уточнил, идёт ли речь об официальной программе компании или об одном из его личных инвестиционных проектов. Поэтому говорить о полноценном возвращении Intel на рынок DRAM и NAND пока рано.

На возможное направление работы указывает недавнее кадровое решение. В июне Intel назначила Сок-Хи Ли исполнительным вице-президентом Intel Foundry. Ранее он руководил SK hynix и SK On, а в начале карьеры более десяти лет работал в Intel. Теперь Ли отвечает за передовую корпусировку, системную интеграцию, разработку технологий завершающих стадий производства и соответствующие производственные мощности.

Intel планирует теснее объединять в одной корпусировке вычислительные кристаллы, память и сетевые компоненты. Тан, в частности, рассматривает вертикальную компоновку, при которой память располагается над процессором. Такой подход сокращает линии передачи данных и потенциально увеличивает пропускную способность при меньших затратах энергии. Однако глава Intel пока не рассказал, какую именно память и способ соединения предполагает использовать.

С этими заявлениями перекликается опубликованная патентная заявка Intel на архитектуру XBM — Cross-Batch Memory. В отличие от классической HBM, она не использует большой кремниевый интерпозер для соединения вычислительного кристалла со стеками памяти. Вместо него Intel предлагает последовательные соединения UCIe через базовый кристалл, а ячейки DRAM формирует с помощью тонкоплёночных транзисторов на завершающих стадиях производства кристалла.

Такой подход должен упростить корпусировку, уменьшить её размеры и снизить себестоимость. В проекте также предусмотрены механизмы самодиагностики и обхода дефектных участков, которые могут повысить выход годных многослойных кристаллов. Пока XBM существует лишь в виде патентной заявки: Intel не представила дорожную карту и не подтвердила связь этой разработки с проектом, о котором говорил Тан.

Подписывайтесь на группу Hardwareluxx ВКонтакте и на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).