Компания Samsung перешла в активную фазу подготовки к выпуску DRAM памяти седьмого поколения с техпроцессом 10 нанометров. Об этом сообщили корейские источники 17 июня текущего года.

На данный момент Samsung координирует работу с несколькими производителями специализированного оборудования для создания производственных мощностей. Компания намерена получить готовое оборудование ко второму кварталу 2027 года, после чего начнется его запуск и настройка на заводах.

Новое поколение памяти будет иметь ширину схемы в диапазоне 10-11 нанометров. Текущее шестое поколение DRAM, которое находится в промышленном производстве, использует схемы шириной 11-12 нанометров. Сужение технологических норм позволит улучшить энергоэффективность и производительность памяти.

Ранее в отрасли обсуждались предположения о возможности начала производства DRAM седьмого поколения в текущем году. Однако разработка основного производственного оборудования все еще находится на стадии завершения, что сделало такой график нереалистичным.

Аналитики предполагают, что с учетом времени, необходимого для отладки и развертывания производства после поступления оборудования, первые объемы продукции должны выйти на рынок к концу 2027 года. Конкретные сроки могут быть скорректированы в зависимости от темпов развития работ.

Представители отрасли отмечают, что Samsung рассматривает DRAM седьмого поколения как стратегическое направление развития. Согласно плану компании, эта технология будет интегрирована в модули HBM5E девятого поколения, которые должны появиться в 2029 году в качестве коммерчески доступных решений для высокопроизводительных вычислений.

Источник: CNMO