Главная
Энциклопедия РКТ
Патентная аналитика
Войти/Регистрация
Menu
Вход на сайт
Войти
Напомнить
Регистрация
Закрыть
Просмотр новости
Найдите то, что Вас интересует
Все
Арктика
Армия и ОПК
В стране
Информация
Космос
Культура
МСП
Международные
Мнения
Москва
Московская область
Наука
Национальные проекты
Недвижимость
Общество
Партнеры
Политика
Пресс-релизы
Происшествия
Санкт Петербург
Сибирь
Спорт
Урал
Экономика
Новые
Старые
Релевантность +
Релевантность -
Поискать
Спутники
РН
SpaceX
Роскосмос
NASA
Structure–Transport–Performance Relationships in Directionally Solidified (Ga,In)Sb– CrSb Eutectic Composites: Anisotropic Charge and Heat Transport for Thermoelectric Energy Conversion
Дата публикации: 10-08-2026 11:01:47
An article created on 2026-08-10 11:01:47
Схожие новости
#
Наименование новости
Тональность
Информативность
Дата публикации
1
Interfacial Engineering of PAN@Sb–Ca–Ti Oxides/MXene Binder-Free Electrodes for High-Performance Supercapacitors
0
28.75
07-08-2026
2
Interfacial Engineering of MnCo2O4 Spinel Nanostructures Anchored on MWCN for Enhanced Pseudocapacitive Charge Storage in High-Performance Supercapacitors
0
21.63
11-08-2026
3
Divergent Bandgap Responses in Cu- and Zn-Doped NiTiO 3 Nanoparticle
0
28.75
11-08-2026
4
in situ Growth of and Proximity-induced Superconductivity in Al-Ge Quantum Well Heterostructures
0
24.66
11-08-2026
5
Thermodynamic gating reconciles molecular and device rankings in solid- state dye-sensitized solar cells: a DFT-informed multiscale study
0
23.04
07-08-2026
6
Reaching the thermodynamic limit of periodic CCSD cohesive energies and band gaps
0
15.56
10-08-2026
7
Thermo‑mechanical coupling effects on high‑velocity impact damage of CFRP laminates: Experiment and temperature‑dependent dynamic constitutive modeling
0
13.45
10-08-2026
8
Influence of Cu2Te Doping on the Microstructure and Phase Formation Process of MgB2 Superconductor
0
21.6
10-08-2026
9
Emergent unconventional superconductivity in an aged α-Sn thin film
0
21.16
10-08-2026
10
Fabrication and Electrical Characterization of AlGaN/GaN HEMTs with BST Gate Dielectric: A Comparative Study of Two- and Three-Terminal Devices
0
15.82
11-08-2026
Классификация:
Наука
. Схожих патентов:
0
. Схожих новостей:
10
. Тональность:
0
. Информативность:
14.17
. Источник:
www.researchsquare.com
.