Открытие физиков РФ и КНР ускорит разработку оптоэлектроники на базе оксида ванадия

Дата публикации: 08-04-2025 14:43:51

Полученные сведения расширяют границы применения пленки VO2 в такой отрасли микроэлектронной промышленности, сообщили в Центре научной коммуникации МФТИ

Схожие новости

#	Наименование новости	Тональность	Информативность	Дата публикации
1	Эксперименты физиков РФ ускорят разработку оптоэлектроники на базе оксида цинка	0	0	10-04-2025
2	Ученые Института физики полупроводников усовершенствовали пленки хай-кей диэлектрика на основе диоксида гафния	0	10.41	23-09-2026
3	Ученые Института физики полупроводников усовершенствовали пленки хай-кей диэлектрика на основе диоксида гафния	0	10.41	23-09-2026
4	В РФ нашли способ повысить чувствительность сенсоров для выявления вредных газов	0	0	24-07-2025
5	В СО РАН нашли способ сохранить свойства диоксида гафния при нагреве	0	10	24-09-2026
6	Ученые получили перспективный материал для повышения быстродействия работы электроники	0	0	08-08-2019
7	Российские ученые создали идеально тонкие пленки металла для квантового компьютера	0	0	29-05-2019
8	Российские ученые создали оптическую память на основе кремниевого чипа	5	7	26-06-2026
9	Открытие учёных МФТИ повысит эффективность работы нанотранзисторов	0	7.59	24-02-2026
10	Ученые повысили чувствительность детекторов водорода в 100 раз	0	0	27-12-2018

Классификация: Наука. Схожих патентов: 0. Схожих новостей: 10. Тональность: 0. Информативность: 0. Источник: tass.ru.